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参数目录42463
> SUP57N20-33-E3 MOSFET N-CH D-S 200V TO220AB
型号:
SUP57N20-33-E3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH D-S 200V TO220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SUP57N20-33-E3 PDF
标准包装
500
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
57A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
33 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
5100pF @ 25V
功率 - 最大
3.75W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
查看SUP57N20-33-E3代理商
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